图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BUD42D |
| 文档 |
Multiple Devices 30/Sept/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
| 标准包装 | 75 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 350V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1V @ 500mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 10 @ 2A, 5V |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 集电极最大直流电流 | 4 |
| 最小直流电流增益 | 8@1A@2V|10@2A@5V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 25000 |
| 最大基地发射极电压 | 9 |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 650 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 最大集电极发射极电压 | 350 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 500mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 标准包装 | 75 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 350V |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 10 @ 2A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.2 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 9 V |
| 最大功率耗散 | 25 W |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 8 |
| 集电极最大直流电流 | 4 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 350 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 650 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 4 A |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1V @ 500mA, 2A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 10 @ 2A, 5V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 功率 - 最大值 | 25W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 4A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 350V |
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